高真空低维纳米薄膜生长系统实验室配备有高真空磁控溅射薄膜生长系统、PLD薄膜生长系列制备设备、射频等离子体化学气相沉积系统。实验室位于明德楼D103。

高真空磁控溅射薄膜生长系统可用于开发纳米级的单层及多层功能膜和复合膜-可镀金属、合金化合物等，应用于材料研究和功能器件的开发。

PLD薄膜生长系列制备设备用于生长光学晶体、铁电体、铁磁体、超导体和有机化合物薄膜材料，特别适用于生长高熔点、多元素及含有气体元素的复杂层状超晶格薄膜材料。

射频等离子体增强化学沉积系统利用等离子体的活性促进增强反应，主要用于沉积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料。可以在光学玻璃、硅片、石英、不锈钢片等不同基底材料上，沉积碳化硅、非晶硅、微晶硅、二氧化硅等薄膜；该薄膜生长系统成膜温度低，对基底影响小，可以避免高温成膜所造成薄膜晶粒粗大以及基底失效等缺点，薄膜沉积速率快，薄膜质量好，组织致密，不易产生微小裂纹。而且该系统适用范围较广，能够在不同的基底上制备各种无机物薄膜。

高真空磁控溅射薄膜生长系统

 射频等离子体增强化学沉积系统

PLD薄膜生长系列制备设备