设备名称：场发射扫描电镜

设备厂家：TESCAN（捷克）

设备型号：TESCAN MIRA

存放地点：明德楼D108

设备参数/要求：

二次电子分辨率：1.0nm@30kV，3.5nm@1kV

背散射电子分辨率：2.0nm@30kV

放大倍数：1-1000000

加速电压：0.2-30kV

EDS能量分辨率：129eV(Mn-Ka)

主要特点：

配备高亮度肖特基场发射电子枪，快速无缝地选择成像或分析条件，获得最佳的成像和分析条件；低至1倍的最小放大倍率，可轻松精准的对样品进行导航；并配备了矿物分析软件及EDSD取向分析。

应用范围：

表面形貌分析；EDS成分分析；BPMA矿物分析；EBSD取向分析