设备名称：射频等离子体化学气相沉积系统

设备厂家：

设备型号：定制款

存放地点：明德楼D103

设备参数/要求：

具有PECVD-400X型系统，具有高真空度（系统极限真空度≤8×10^-5 Pa）、高速抽（开泵30分钟即可达到8×10-4 Pa）、工作真空可调范围大（可调范围为1~100 Pa）；

配备-200 V偏压电源一套和多路工作气路通道（甲基硅烷、甲硅烷、甲烷、氢气、氩气、氮气六路气体流量控制器），设备配备的Φ200 mm匀气盘能够使气流均匀进入反应腔室内。同时配备完整的尾气处理系统，保证实验室安全。

反应腔室内可放置4寸基片或者Φ5 mm×100 mm圆柱形基底，基底与匀气盘可在120~180 mm范围内调整。

加热炉提供600 ℃±1 ℃，同时具备钨丝加热，热丝与基底可在10~120 mm范围内调整，表面温度可达2000 ℃左右。

应用范围：主要用于沉积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料。