设备名称：高真空磁控溅射薄膜生长系统

设备厂家：

设备型号：厂家定制款

存放地点：明德楼D103

设备参数/要求：

1.具有高真空度（系统极限真空度≤6x10-5 Pa）、高抽速（开泵30分钟可达到5x10-3 Pa）、高溅射功率（配有500W直流电源两套、6KW直流电源两套、-200V直流偏压电源一套）、大尺寸真空室（U型真空室尺寸约为Ф600mmx700mm）和多工作气路通道（200SCCM质量流量控制器Ar一路、100SCCM质量流量控制器N2一路、100SCCM质量流量控制器O2一路）。

2.该设备配有6个腔体靶位，3个Φ60mm磁控圆形靶指向样品中心，另外3个80mmx240mm磁控矩形靶水平直溅射，靶与样品距离40～80mm可调，并有位置指示，各靶可独立/顺次/共同工作。

3.真空室内配有4个基片台，均可放置Φ30mm基片或60mmx130mmx30mm样品，且可加热至最高炉温300℃，温度稳定后设置精度和显示精度偏差不大于±1℃，另外，基片台可连续公转和自转，自转转速5～20转/分，公转转速1～5转/分。

应用范围：开发纳米级的单层及多层功能膜和复合膜-可镀金属、合金化合物等。